🐂 SKH — 公司画像 (教学用)¶
教学站非投资建议. 具体市值 / 股价 / 财报数字易变, 故不写, 改给 SEC + Yahoo Finance 链接, 你自己核实时数据.
Ticker 提醒: 韩国 KOSPI
000660(主上市) / 美国 OTCHXSCL(144A GDR — 主要 OTC 报价; 见 OTC Markets + Bloomberg HXSCL:US). 本站 SKH 是泛称, 准确指代见下表.
📌 基本资料¶
| 维度 | 内容 | 来源 |
|---|---|---|
| 主营业务 | DRAM (含 HBM3E / HBM4) + NAND (Solidigm / 原 Intel NAND: 2021/12/29 first close, 2025/03/27 second & final close) + CMOS Image Sensor — 全球 HBM 主供 (约 50%+ 份额) | wiki + TrendForce |
| 创立 / 总部 | 1983 / 韩国京畿道利川 (Icheon) | wiki |
| CEO | Kwak Noh-Jung (2022/03 接任 Co-CEO, 2024/03 起 sole CEO; Park Jung-Ho 退任 Vice Chairman) | 公司公告 |
| 主要上市地 | 韩国 KOSPI: 000660 (主上市) + 美国 OTC: HXSCL (144A GDR, 流动性低) | OTC Markets HXSCL |
| 是否在 SEC 提交 | 不提交 — 韩国公司, 财报在韩国金融监督院 DART (英文摘要在公司 IR 站) | DART |
| 财年 | 公历年 (1 月 1 日 - 12 月 31 日) | — |
💡 实时市值 / 股价 / HBM 出货 / 营收: 见下方 公司 IR + Yahoo 链接
🏭 产业链坐标 (Part 1-C6 框架)¶
上游 (SKH 依赖谁)¶
| 供应商 | 流通内容 | 关键依赖 |
|---|---|---|
ASML |
EUV 光刻设备 (HBM 先进 DRAM 制造必需) | 唯一选项 |
AMAT + LRCX + KLAC + TOELY |
沉积 / 刻蚀 / 检测 / 涂胶设备 | 多寡头 |
SNPS + CDNS |
EDA 工具 (有限, 主要内存设计) | 双寡头 |
下游 (谁依赖 SKH)¶
| 客户 | 关系 | 客户集中度 |
|---|---|---|
NVDA |
HBM3E 主供 (70%+ 份额) + HBM4 在 qual — 战略关系 | NVDA 是 SKH HBM 第 1 大客户 (按媒体报道 + 行业出货数据) |
AMD |
MI300 / MI350 HBM3E 主供 | 第 2 大 HBM 客户 |
GOOGL |
TPU HBM3E 供应 | 关键 |
INTC |
HBM 供应给 Gaudi 3 / Jaguar Shores (HBM4) roadmap; Falcon Shores 已不商业化 (份额小) | 一般 |
| 全球服务器 / 手机 DRAM + NAND 客户 | 通用内存 (传统业务, 占大头但 GM 较低) | 分散 |
竞品¶
- HBM:
MUMicron (HBM3E 二供, 份额 ~20%, 抢 NVDA 第 2 供应商位置) /SSNLFSamsung (历史 HBM 龙头, 2024 起 HBM3E qual NVDA 一度延迟, 失去份额; 但 HBM4 重新追) - DRAM 通用: SSNLF Samsung / MU Micron (三大寡头, SKH ~30-35% / Samsung ~40% / MU ~25%)
- NAND: SSNLF /
KIOXIA(TSE: 285A) /WDC(SNDK2025/02 分拆后) /YMTC(中国, 长江存储) - 中国国产替代:
CXMT长鑫存储 (HBM3 2026 末目标量产)
💼 商业模式 + 价值捕获 (Part 1-C7 视角)¶
- 营收结构: DRAM (含 HBM3E ~高利润核心) ~60-70% / NAND (Solidigm) ~25-30% / 其他 (CIS 等) ~5%
- 毛利率: 周期性极强 — DRAM 上行期 GM 50%+, 下行期 -10% 甚至更低. HBM3E 锁单价格相对稳定, 是当前 GM 大头
- 定价能力: HBM3E qualify 后强势 (NVDA 不能临时切供), 通用 DRAM 是 commodity 价格 — HBM 强 / 通用弱
- 替代难度: HBM 中 — NVDA 已 qualify MU 二供, 但产能 + qualifying 周期使切换实际很慢 (1-2 年)
(具体季度营收 / HBM 营收占比 / DRAM 周期, 请查 公司 IR 站)
🏰 护城河评估 (Part 3-C2 Buffett 5 步框架视角)¶
| 类型 | 强度 (0-1) | 来源 |
|---|---|---|
| 品牌 | 0.4 | B2B 内存厂, 客户认 SK Hynix 品质但不像 NVDA 那样大众认知 |
| 切换成本 | 0.6 | HBM3E 已 qualify, 切到 MU 需 1-2 年 qual 周期 |
| 网络效应 | 0.2 | 内存不是经典网络效应业务 |
| 规模 + 成本 | 0.7 | 全球 DRAM 三巨头之一, HBM 龙头, ASML EUV 优先产能 |
综合: 1.9 / 4 → HBM 业务有 cyclical moat, 通用 DRAM 是 commodity (周期股本质)
⚠️ 关键反向触发条件 (Part 3-C5 anti-thesis 视角)¶
- 触发 1 (季度): HBM3E ASP 大幅下滑 / 跟 MU 价格战 — 利润率被压
- 触发 2 (年度): SSNLF HBM4 qualify NVDA + 大量出货 — SKH HBM 份额下滑
- 触发 3 (低概率): CXMT 中国 HBM3 量产 + 中国客户切供 — 长期份额风险
- 触发 4 (季度): NVDA capex 增速放缓 — HBM 需求降温
- 触发 5 (周期): 通用 DRAM 下行周期 (供给过剩) — 历史 18-24 月一轮
🔗 教学跨章节链接¶
- Part 1-C5 · 硬件 stack — HBM 是 AI GPU 性能瓶颈核心
- Part 1-C6 · 产业链 5 角色 — SKH 是上游内存关键节点
- Part 1-C7 · 商业模式 — HBM cyclical 高利润 vs 通用 commodity
- Part 4-C6 · Samsung HBM 失败案例 — Samsung 错过 HBM3E 给了 SKH 机会
- Patterns 投资规律 — #7 卖铲子 · #6 cyclical 周期股
📚 SEC 一手公开文件 (你自己查)¶
- SK Hynix IR (英文) — 季报 / 年报 / 投资者活动
- 韩国 KOSPI DART 申报 (韩文 + 英文) — 全部官方文件
- TrendForce HBM 市场数据 — 第三方行业数据
实时股价: HXSCL OTC (CNBC) / Bloomberg HXSCL:US / 韩国 KOSPI 000660
教学用 · 数字会变, 学的是方法不是具体数字 · 投资决策基于你自己的研究 + 风险承受度